Fechar

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m21c.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34R/3TJBCD8
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21c/2019/07.02.11.16   (acesso restrito)
Última Atualização2019:07.02.11.16.56 (UTC) simone
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21c/2019/07.02.11.16.56
Última Atualização dos Metadados2020:01.06.11.42.15 (UTC) administrator
DOI10.1002/pssb.201800643
ISSN0370-1972
Chave de CitaçãoLeonPadillaTolSilSilLaR:2019:GfAnIn
Títulog-factor anisotropy inversion in InGaAs 2D nanostructures
Ano2019
MêsJune
Data de Acesso04 maio 2024
Tipo de Trabalhojournal article
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho417 KiB
2. Contextualização
Autor1 Leon Padilla, Jhon Elber
2 Toloza Sandoval, Marcelo Alejandro
3 Silva, Antonio Ferreira da
4 Silva, Erasmo Assumpção de Andrada e
5 La Rocca, Giuseppe Carlo
Identificador de Curriculo1
2
3 8JMKD3MGP5W/3C9JGJC
Grupo1
2
3
4 LABAS-COCTE-INPE-MCTIC-GOV-BR
Afiliação1 Universidade Federal da Bahia (UBA)
2 Universidade Federal da Bahia (UBA)
3 Universidade Federal da Bahia (UBA)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
5 Scuola Normale Superiore and CNISM
Endereço de e-Mail do Autor1
2
3
4 erasmo.silva@inpe.br
RevistaPhysica Status Solidi B: Basic Research
Volume256
Número6
Páginase1800643
Nota SecundáriaB1_MATERIAIS B1_INTERDISCIPLINAR B1_ENGENHARIAS_IV B1_ENGENHARIAS_III B1_ENGENHARIAS_II B3_QUÍMICA B3_ENSINO B3_CIÊNCIAS_BIOLÓGICAS_II B3_ASTRONOMIA_/_FÍSICA
Histórico (UTC)2019-07-03 18:44:59 :: simone -> administrator :: 2019
2019-07-03 18:45:00 :: administrator -> simone :: 2019
2019-07-03 18:45:07 :: simone -> administrator :: 2019
2020-01-06 11:42:15 :: administrator -> simone :: 2019
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Resumohe inversion or sign change of the electron g-factor anisotropy in thin-layer semiconductor nanostructures is investigated theoretically and gauged for InGaAs asymmetric single and double quantum wells (QWs). The g-factor anisotropy in these 2D nanostructures is given by the difference between the longitudinal and transverse components; it is a fine sensor of the confining potential and in InGaAs structures it is determined by the Rashba spinorbit coupling. In the presence of structure inversion asymmetry (SIA) the g-factor anisotropy is expected to invert at a critical well width. This effect can be useful technologically and is here analyzed in detail with InGaAs/InP asymmetric multi-layer structures. The g-factor anisotropy in these structures is calculated in a fine grid around the inversion point, using 8-band kp Kane model based envelope function theory for the nanostructure, and perturbation theory for the calculation of the effective g factor. It is shown that the anisotropy inversion can be seen only in asymmetric structures with very thin layers, near the limit of no bound states allowed, and corresponding to the electron being pushed out of the confining region. The inversion point, or critical well width for the g-factor anisotropy inversion in Insulator/InGaAs/InP QWs is determined to be ≈4 nm. For double or coupled QWs it is found that the inversion can be observed only with very thin tunneling barriers around 1 nm wide.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > g-factor anisotropy inversion...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreement
agreement.html 02/07/2019 08:16 1.0 KiB 
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoPadilla_et_al-2019-physica_status_solidi_(b).pdf
Grupo de Usuáriossimone
Grupo de Leitoresadministrator
simone
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.40.22 3
sid.inpe.br/bibdigital/2013/09.24.19.30 1
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES.
Acervo Hospedeirourlib.net/www/2017/11.22.19.04
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress format isbn keywords label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)simone
atualizar 


Fechar